A memoria flash é un medio de almacenamento de memoria electrónicanon volátil que se pode borrar e reprogramar electricamente.[1] Os dous tipos principais de memoria flash, a memoria flash NOR e a memoria flash NAND, reciben o seu nome das portas lóxicasNOR e NAND. Ambas usan o mesmo deseño de cela, que consiste en MOSFET de porta flotante. Difiren a nivel de circuíto, dependendo de se o estado da liña de bits ou das liñas de palabras está alto ou baixo; na memoria flash NAND, a relación entre a liña de bits e as liñas de palabras parécese a unha porta NAND; na memoria flash NOR, parécese a unha porta NOR.
A memoria flash, un tipo de memoria de porta flotante, foi inventada por Fujio Masuoka en Toshiba en 1980 e baséase na tecnoloxía EEPROM. Toshiba comezou a comercializar memoria flash en 1987.[2] As EPROM tiñan que borrarse completamente antes de poder reescribirse. Non obstante, a memoria flash NAND pode borrarse, escribirse e lerse en bloques (ou páxinas), que xeralmente son moito máis pequenos que todo o dispositivo. A memoria flash NOR permite que unha soa palabra da máquina sexa escrita (nunha localización borrada) ou lida de forma independente. Un dispositivo de memoria flash normalmente consta dun ou máis chips de memoria flash (cada un contén moitas celas de memoria flash), xunto cun chipcontrolador de memoria flash separado.
