본문으로 이동

XDR DRAM

위키백과, 우리 모두의 백과사전.
XDR DRAM

XDR DRAM(extreme data rate dynamic random-access memory)은 램버스 RDRAM의 뒤를 잇는 고성능 램 인터페이스이다. DDR2 SDRAM과 GDDR4 기술과 경쟁한다.

개요

[편집]

XDR은 소형, 고대역폭 소비자 시스템, 고성능 메모리 애플리케이션 및 고급 GPU에 효과적이도록 설계되었다. 이는 초기 형태의 RDRAM을 괴롭혔던 비정상적으로 높은 대기 시간 문제를 제거한다. 또한 XDR DRAM은 핀당 대역폭에 중점을 두어 PCB 생산 비용을 더욱 효과적으로 제어할 수 있다. 이는 동일한 대역폭에 대해 더 적은 수의 레인이 필요하기 때문이다. 램버스는 해당 기술에 대한 권리를 보유한다. XDR은 소니가 플레이스테이션 3 콘솔에서 사용한다.[1]

프로토콜

[편집]
XDR DRAM 요청 패킷 포맷[2]
클럭
에지
비트 NOP 컬럼 읽기/쓰기 캘리브레이트/파워 다운 프리차지/리프레시 로우 액티베이트 마스크 화이트
비트비트설명비트설명비트설명비트설명비트설명
↓RQ1100COL opcode0COLX opcode0ROWP opcode0ROWA opcode1COLM opcode
↓RQ1000001M3Write mask
low bits
↓RQ90011R9Row address
high bits
M2
↓RQ80101R10M1
↓RQ7xWRXWrite/Read bitx예비POP1Precharge delay (0–3)R11M0
↓RQ6xC8Column address
high bits
xPOP0R12예비C8Column address
high bits
↓RQ5xC9xx예비R13C9
↓RQ4xC10예비xxR14C10예비
↓RQ3xC11XOP3SubopcodexR15C11
↓RQ2xBC2Bank addressXOP2BP2Precharge bankBA2Bank addressBC2Bank address
↓RQ1xBC1XOP1BP1BA1BC1
↓RQ0xBC0XOP0BP0BA0BC0
↑RQ11xDELCCommand delay (0–1)x예비POP2Precharge enableDELACommand delay (0–1)M7Write mask
high bits
↑RQ10xx예비xROP2Refresh commandR8Row address
low bits
M6
↑RQ9xxxROP1R7M5
↑RQ8xxxROP0R6M4
↑RQ7xC7Column address
low bits
xDELR1Refresh delay (0–3)R5C7Column address
low bits
↑RQ6xC6xDELR0R4C6
↑RQ5xC5xx예비R3C5
↑RQ4xC4xxR2C4
↑RQ3xSC3Sub-column addressxxR1SC3Sub-column address
↑RQ2xSC2xBR2Refresh bankR0SC2
↑RQ1xSC1xBR1SR1Sub-row addressSC1
↑RQ0xSC0xBR0SR0SC0

같이 보기

[편집]

각주

[편집]
  1. ↑ “AnandTech: Rambus in Cell Processors and Intel's Dual Core Announcements”. 2007년 9월 30일에 원본 문서에서 보존된 문서. 2024년 10월 31일에 확인함.
  2. ↑ XDR™ Architecture 보관됨 7월 24, 2011 - 웨이백 머신 (Rambus)

외부 링크

[편집]